На главную К списку выставокАрхив выставок

Синтез ферромагнитных полупроводниковых пленок MnSi и исследование магнитных и транспортных свойств пленок MnSi

Журнальные статьи

1. PDF
Amna AkmalFaiza ArshadShahzad Naseem Study of electronic, structural and magnetic properties of electrodeposited Co2MnSn Heusler alloy thin films//Journal of Materials Research and Technology.Volume 22, January–February 2023, Pages 1-16

Спинтроника - это новая развивающаяся область, которая преобразует современную информационную технологию, используя спин электрона вместе с его зарядом. В течение последних нескольких лет проводились исследования различных спинтронных устройств, таких как устройства на основе GMR, MRAMs и т.д. Эти устройства основаны на обычных ферромагнитных материалах, которые проявляют асимметрию вращения. Полуметаллические ферромагнитные материалы, особенно сплавы Гейслера, считаются наиболее многообещающими кандидатами из-за высокой спиновой поляризации. Ранее сплавы Гейслера были исследованы теоретически. Имеется несколько экспериментальных отчетов, относящихся к дорогостоящим вакуумным методам. Кроме того, детальное магнитное исследование при комнатной температуре встречается редко. В этой исследовательской работе структурные, электронные и магнитные свойства полного сплава Гейслера Co2MnSn исследуются экспериментально и с помощью теории функционала плотности с помощью ADF. Теоретические результаты этого исследования предсказывают полуметаллическое и асимметричное поведение полного сплава Гейслера Co2MnSn со структурой L21. Тонкие пленки кобальта марганца олова получают методом электроосаждения путем изменения приложенного восстановительного потенциала от 1 до 2 В. Смешанные фазы наблюдаются при приложенном потенциале в диапазоне от 1 В до 1,5 В. Фаза Co2MnSn из полного сплава Гейслера наблюдается при приложенном напряжении 1,75 В. Дальнейшее увеличение приложенного напряжения до 2 В приводит к усилению и стабильности фазы Co2MnSn. Магнитный момент µB, равный 4,10, близко согласуется с моментом, рассчитанным по правилу Слейтера-Полинга для полных сплавов Гейслера. Петли M?H из электроосажденных тонких пленок сплава Гейслера кобальт-марганец-олово проявляют мягкое ферромагнитное поведение. Графики Арротта показывают ферромагнитную природу тонких пленок, электроосажденных кобальтом, марганцем и оловом, проявляя выпуклую форму. Кривые MH показывают изменение обменного смещения при изменении приложенного потенциала.

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2238785422017586

2. PDF
Hai-Ming HuangQiang YuShi-Jun Luo Transition of spin gapless semiconductor to semiconductor and half-metal in ferromagnetic Ba2MnTeO6//Results in Physics.Volume 25, June 2021, 104315

Новый полупроводниковый материал без спиновых зазоров Ba2MnTeO6 найден и описан с помощью расчетов по первым принципам. В этой статье мы изучаем влияние спин-орбитальной связи, деформации и кулоновского взаимодействия на свойства ферромагнитного Ba2MnTeO6, чтобы проверить стабильность физических свойств. Оказывается, что спин-орбитальная связь не оказывает существенного влияния на электронные структуры Ba2MnTeO6 в равновесном состоянии. Под действием равномерной деформации сжатия и растяжения Ba2MnTeO6 превращается из полупроводника без спиновых зазоров в полупроводник и полуметалл соответственно. В то же время, по мере увеличения деформации, запрещенная зона полупроводника постепенно расширяется, а полуметаллическая щель постепенно сужается. После рассмотрения кулоновского взаимодействия Ba2MnTeO6 также будет преобразован в полупроводник, и ширина запрещенной зоны полупроводника будет увеличиваться с увеличением значений U. Кроме того, исследования механических характеристик показывают, что Ba2MnTeO6 является анизотропным материалом со стабильной структурой. Являясь первым чистым полупроводником без спиновых зазоров типа двойного перовскита, высокая спиновая поляризация и точно регулируемые физические свойства ферромагнитного Ba2MnTeO6 указывают на то, что он имеет широкие перспективы применения в областях спинтроники и оптоэлектронных материалов и устройств.

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211379721004460

3. PDF
J. A. Nieto CamachoJ. A. Cardona VasquezJ. Roa-Rojas Study of the microstructure and the optical, electrical, and magnetic feature of the Dy2Bi2Fe4O12 ferromagnetic semiconductor//Journal of Materials Research and Technology.Volume 9, Issue 5, September–October 2020, Pages 10686-10697

С целью получения материала с магнитными и полупроводниковыми свойствами в данной работе предложен материал типа лантаноид висмут-феррит. Поликристаллические образцы Dy2Bi2Fe4O12 были получены в соответствии со стандартным методом твердофазной реакции. Структурная характеристика с помощью метода рентгеновской дифракции свидетельствует о том, что синтезированная керамика кристаллизуется в орторомбическую структуру, подобную перовскиту, принадлежащую к пространственной группе Pnma (#62). Изображения, полученные с помощью сканирующей электронной микроскопии, выявили зернистость образцов со средними размерами зерен нанометрического порядка. Спектры дисперсии энергии рентгеновского излучения позволили установить, что в образцах нет элементов, отличающихся от ожидаемых в стехиометрических пропорциях, предложенных химической формулой соединения. Исследования электрического поведения были проведены с использованием кривых ввода–вывода и электрической диэлектрической проницаемости в зависимости от частоты и температуры, которые показывают диодно–варисторную особенность этого материала с заметной тенденцией типа Максвелла-Вагнера. Ширина запрещенной зоны полупроводника была определена на основе анализа спектров диффузного отражения, которые показывают Eg = 1,88 эВ. Зависящие от температуры кривые намагничивания для приложенных полей 1,0, 5,0 и 10 КЭ показали поведение, ожидаемое для материалов ферромагнитного типа, с убедительными доказательствами магнитного расстройства, вызывающего необратимость в кривых, полученных при охлаждении в нулевом поле и процедурах измерения с охлаждением в полевых условиях. Кривые гистерезиса намагничивания при температурах 50, 200 и 300 К демонстрируют ферромагнитный отклик с признаками суперпарамагнитных эффектов из-за значительного присутствия ферромагнитных зерен наноразмерного размера. Основываясь на полученных результатах, можно утверждать, что материал ведет себя как мягкий ферримагнитный полупроводник с низким коэрцитивным полем (от 500 до 700 Ээ) и остаточной намагниченностью (от 2,15 ? 10-4 эме/ г до 3,25 ? 10-4 эме / г), что в конечном итоге будет иметь технологические последствия в индустрии спинтроники.

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2238785420315702

4. PDF
T. BalcerzakK. Szalowski The Pair Approximation method for the ferromagnetic Heisenberg model with spin S=1 and arbitrary range of interactions. Application for the magnetic semiconductor CrIAs//Journal of Magnetism and Magnetic Materials.Volume 513, 1 November 2020, 167157

Метод парной аппроксимации был сформулирован для изотропной ферромагнитной модели Гейзенберга со спином. Были приняты во внимание обменные взаимодействия произвольного диапазона. Была рассмотрена анизотропия одного иона, а также внешнее магнитное поле. В рамках этого метода была получена свободная энергия Гиббса, из которой могут быть самосогласованно получены все термодинамические свойства. Чтобы проиллюстрировать разработанный формализм, численные расчеты были выполнены для планарного магнитного полупроводника CrIAs, гипотетического материала, существование которого недавно было предсказано расчетами, основанными на теории функционала плотности. Для этого модельного материала были изучены все соответствующие термодинамические магнитные свойства. Численные результаты были представлены на рисунках и обсуждены.

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0304885320306028

5. PDF
Yoonho AhnJong Yeog Son Ferromagnetic properties of conducting filament nanodots formed on epitaxial BiFeO3 thin film//Journal of Materials Research and Technology.Volume 18, May–June 2022, Pages 2232-2239

Мы исследуем ферромагнитные свойства нанодотов проводящей нити (CF), сформированных на эпитаксиальной тонкой пленке BiFeO3 (BFO), которые проявляют резистивное переключение. Эпитаксиальная тонкая пленка BFO толщиной 50 нм была выращена на монокристаллических подложках SrTiO3, легированных Nb, методом импульсного лазерного осаждения. Сегнетоэлектрический микроконденсатор, изготовленный с использованием эпитаксиальной тонкой пленки BFO, демонстрирует превосходные сегнетоэлектрические свойства с остаточной поляризацией приблизительно 32 МКК/см2 и униполярным резистивным переключением. CF-нанодоты диаметром приблизительно 16 нм формируются в локальной области тонкой пленки BFO с помощью кондуктивной атомно-силовой микроскопии. Как правило, ферромагнитные материалы проявляют суперпарамагнетизм в масштабе десятков нанометров в результате тепловой энергии магнитных моментов. В этом исследовании магнитно-силовая микроскопия демонстрирует, что нанодот CF обладает ферромагнетизмом. Предполагается, что обменное взаимодействие между нанодотом CF и окружающим BFO вызывает ферромагнетизм нанодота. Наше исследование дает новое представление о конструкции ячеек памяти с несколькими состояниями с резистивной коммутацией и магнитным упорядочением спинов для применения в носителях информации высокой плотности.

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2238785422004227

6. 001802
Агринская Н.В., Козуб В.И., Шумилин А.В. ДИНАМИЧЕСКИЕ СПИНОВЫЕ ЯВЛЕНИЯ В СЛОЖНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ (МИНИОБЗОР)//Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 110. № 7-8 (10). С. 482-492.

Представлен краткий обзор теоретических и экспериментальных исследований спиновых явлений в различных гибридных структурах на основе металлов и полупроводников, проявляющих магнитное упорядочение. В частности, будут рассмотрены следующие вопросы: 1) эффекты электрического переключения намагниченности с минимальными энергетическими потерями; 2) ферромагнитное упорядочение в квантовых ямах GaAs-AlGaAs, легированных Mn, которому способствует заполнение верхней зоны Хаббарда; 3) исследование магнитных возбуждений в нанокомпозитах ферромагнитных гранул с помощью аналитических и численных методов; 4) теоретические исследования спиновых эффектов в сильно неупорядоченных полупроводниковых структурах; 5) изотропное магнетосопротивление, линейное по магнитному полю, экспериментально наблюдавшееся в легированных квантовых ямах GaAs-AlGaAs, которое мы связываем с некоторым упорядочением в системе локализованных спинов.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=41184021

7. PDF
Алексеев А.В., Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ НАВЕДЁННОЙ МАГНИТНОЙ АНИЗОТРОПИИ В ИОННО-СИНТЕЗИРОВАННЫХ ПЛЕНКАХ СИЛИЦИДОВ ЖЕЛЕЗА//Казанский физико-технический институт имени Е.К Завойского. Ежегодник. 2021. Т. 2020. С. 74-78.

Проведено исследование тонких плёнок силицида железа, полученных методом ионно-лучевого синтеза во внешнем магнитном поле. Для исследованных образцов характерна обратно пропорциональная температурная зависимость константы магнитной анизотропии. Полученные результаты указывают на применимость модели Нееля для описания процесса формирования наведённой одноосной магнитной анизотропии для случая плёнок силицида железа, полученных методом ионно-лучевого синтеза. Рассчитано значение коэффициента диполь- дипольного взаимодействия для системы Fe-Si. Эксперименты по повороту направления намагниченности повторной имплантацией низкой дозой ионов в образцы с наведённой одноосной магнитной анизотропией подтверждают применимость предложенной модели.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=46535371

8. 036746
Арсланов Р.К., Залибеков У.З., Джамамедов Р.Г., Федорченко И.В. МАГНEТО-ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА НАНОКОМПОЗИТА ZN0.1CD0.9GEAS2+10%MNAS И ZN0.1CD0.9GEAS2 +15%MNAS ПРИ ВЫСОКОМ ДАВЛЕНИИ//Вестник Дагестанского государственного университета. Серия 1: Естественные науки. 2018. Т. 33. № 4. С. 13-17.

Мы приводим систематические исследования магнитных и транспортных свойств высокотемпературных ферромагнитных систем на основе Zn1-xCdxGeAs2 включением наноразмерных MnAs кластеров с различной концентрацией и температурой Кюри 350 К. Транспортные характеристики показали, что все исследованные образцы имели удельную электропроводность p -типа, сильно зависящую от химического состава сплава. Измерения эффекта Холла показали, что концентрации носителей и относительно низкие подвижности также зависят от химического состава. В исследованных образцах обнаружен индуцированный высоким давлением переход из упорядоченной фазы в неупорядоченную и одновременно переход полупроводник-металл при давлении p»3,2 ГПа. Наблюдаемый в эксперименте ферромагнетизм обусловлен наличием включений кластеров MnAs.

https://elibrary.ru/item.asp?id=36814259

9. PDF
Баранник А.А., Черпак Н.Т., He Y., Sun L., Zhang X., Вовнюк М.В., Wu Y. МИКРОВОЛНОВЫЙ ОТКЛИК ПОЛОГО РЕЗОНАТОРА С ТОНКОЙ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ПЛЕНКОЙ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОРИЕНТАЦИИ ПЛЕНКИ//Физика низких темпеpатуp. 2018. Т. 44. № 3. С. 326-331.

Дается обоснование предложенной версии о природе ранее обнаруженной особенности в температурной зависимости микроволновых потерь в полом резонаторе с тонкой сверхпроводящей пленкой халькогенида FeSe1 -xTex , расположенной перпендикулярно магнитному полю резонатора. Эксперимент с пленкой при ее параллельной ориентации по отношению к полю показывает отсутствие особенности. Появление особенности в области Т ? Tc при параллельной ориентации пленки объясняется изменением ориентации и распределения поля в пленке при изменении температуры. Сравнение экспериментальных данных с результатами анализа теоретической модели, не учитывающей изменение поля в пленке, показывает, что модельное представление можно использовать при микроволновых импедансных исследованиях пленок с перпендикулярной ориентацией в интервале температур от низких до ~ 2 Tc / 3. Получены также соотношения для эффективного поверхностного импеданса сверхпроводящих пленок в N-состоянии, которые необходимы при построении зависимости эффективного импеданса от температуры в интервале, включающем Tc.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=32477604

10. PDF
Баранова М.С., Проскурова П.А. ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА КВАЗИДВУМЕРНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ С НИЗКОРАЗМЕРНЫМ МАГНЕТИЗМОМ//Доклады Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники. 2020. Т. 18. № 7. С. 87-95.

Поиск физических фундаментальных закономерностей, приводящих к устойчивому высокотемпературному ферромагнетизму, является актуальной задачей. Кроме уже синтезированных двумерных материалов, остается широкий перечень возможных структур, стабильность которых предсказана теоретически. В статье представлены результаты изучения электронных свойств соединений на основе халькогенидов переходных металлов MAX3 (M = Cr, Fe, A = Ge, Si, X = S, Se, Te) с наноструктурированным магнетизмом. Исследования проводились с помощью квантовомеханического моделирования в специализированном программном комплексе VASP, а также расчетов в рамках модели Гейзенберга. Определены основные магнитные состояния двумерных MAX3 и соответствующие им зонные энергетические структуры. Установлено, что среди изучаемых систем наноразмерным ферромагнетиком является CrGeTe3. Кроме того, данное соединение является полупроводником с шириной запрещенной зоны равной 0,35 эВ. Остальные материалы являются антиферромагнетиками. Весь магнитный момент в MAX3 локализован на атомах переходного металла, в частности, на d-орбитали атома переходного металла (и лишь незначительная часть - на p-орбитали халькогена). Для CrGeTe3 проведены расчеты интеграла обменного взаимодействия. Установлены вероятностные механизмы формирования магнитного порядка. Согласно полученным интегралам обменного взаимодействия, в плоскости полупроводника формируется строгий ферромагнитный порядок. Распределение парциальной плотности электронных состояний указывает на гибридизацию между d-орбиталью атома переходного металла и p-орбиталью халькогена. Определено, что более вероятностным является обменное взаимодействие по механизму суперобмена.

https://elibrary.ru/item.asp?id=44254583

11. 002307
Бахарев С.М., Савченко С.П., Танкеев А.П. ФОКУСИРОВКА И КАУСТИКА МАГНОНОВ В ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ГЦК-СТРУКТУРОЙ//Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2019. Т. 83. № 7. С. 904-906.

Определены направления фокусировки обменных спиновых волн в кристаллах с ГЦК-решеткой типа каменной соли. На примере ферромагнитных полупроводников EuO и EuS показано, что в таких системах для реализации фокусировки не требуются внешнее магнитное поле и размерные эффекты. Установлены направления в кристалле, а также необходимые условия для формирования каустики магнонов.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=38487631

12. 036356
Безуглов Д.А., Синявский Г.П., Черкесова Л.В., Шаламов Г.Н. ОЦЕНКА ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПЕРИОДИЧЕСКИХ КОМПОЗИТНЫХ СРЕД НА БАЗЕ ОПАЛОВЫХ МАТРИЦ И УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК С ВКЛЮЧЕНИЯМИ ИЗ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ//Физические основы приборостроения. 2018. Т. 7. № 4 (30). С. 2-23.

Представлено продолжение исследований по оценке электродинамических характеристик композитных сред и направлена на исследование сред, представляющих собой опаловые матрицы и углеродные наноструктуры с включениями на основе ферромагнитных материалов. Многочисленными исследованиями установлено, что такие наноструктуры имеют огромный потенциал для использования в будущих и перспективных технологиях, направленных на создание новой элементной базы радиоэлектроники. Широкими возможностями также обладают углеродные наноструктуры с ферромагнитными включениями, позволяющими оптимизировать функциональные характеристики устройств на их основе, с использованием свойств как магнитного, так и электрического полей.С учётом перспектив по использованию наноструктур в составе новейшей элементной базы радиоэлектроники будущего, исследование способов, методов, подходов к оценке электродинамических характеристик этих структур являются важной составляющей для научного направления, обеспечивающего их формирование с заранее заданными свойствами.

https://elibrary.ru/item.asp?id=37606925

13. 039867
Белим С.В. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛЯ ОБМЕННОГО СМЕЩЕНИЯ В ФЕРРОМАГНИТНОЙ ПЛЕНКЕ НА АНТИФЕРРОМАГНИТНОЙ ПОДЛОЖКЕ//Письма о материалах. 2021. Т. 11. № 2 (42). С. 129-134.

В статье проведено исследование обменного подмагничивания в ферромагнитной пленке на антиферромагнитной подложке. Эти системы широко используются в устройствах спинтроники для закрепления состояния одного из ферромагнетиков. Для исследования использован метод компьютерного моделирования. Использованы модель Изинга и алгоритм Метрополиса. Рассмотрен случай тонкой ферромагнитной пленки на полубесконечной антиферромагнитной подложке. Рассмотрен случай слоистого антиферромагнетика. Величина обменного взаимодействия для антиферромагнетика ниже, чем для ферромагнитной пленки. Вследствие этого температура Нееля подложки ниже температуры Кюри ферромагнитной пленки. Для обеих составляющих системы определены температуры фазовых переходов. Поле обменного подмагничивания создается обменным взаимодействием на границе соприкосновения пленки с подложкой. При температурах выше температуры Нееля поверхностных слой антиферромагнетика не является компенсированным и не создает обменного подмагничивания. Исследована зависимость поля обменного подмагничивания от температуры системы. Обменное подмагничивание вызывает смещение петли гистерезиса. Положение центра петли гистерезиса определяет величину поля обменного подмагничивания. С понижением температуры происходит рост шахматной намагниченности антиферромагнитной подложки и магнитного момента пограничного слоя спинов. Проведен компьютерный эксперимент. Показано, что зависимость поля обменного подмагничивания от температуры вблизи точки фазового перехода антиферромагнетика линейная. При дальнейшем понижении температуры происходит переход на постоянную величину обменного подмагничивания. Этот переход связан с достижением максимума шахматной намагниченности антиферромагнитной подложки. Показано, что при понижении температуры происходит увеличение ширины петли гистерезиса. Зависимость ширины петли гистерезиса от температуры также является линейной. Проведено сравнение с результатами реальных экспериментов.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=45766948

14. 002307
Боровкова О.В., Хашим Х., Кожаев М.А., Дагесян С.А., Чакраварти А., Леви М., Белотелов В.И. УСИЛЕНИЕ МАГНИТООПТИЧЕСКОГО ОТКЛИКА В УЛЬТРАТОНКИХ ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ И ЕГО РЕГИСТРАЦИЯ ПРИ ПОМОЩИ ЭКВАТОРИАЛЬНОГО ЭФФЕКТА КЕРРА//Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2019. Т. 83. № 7. С. 966-968.

При помощи экваториального магнитооптического эффекта Керра показано, что в ультратонких ферромагнитных пленках (толщиной менее 100 нм) наблюдается усиление магнитооптического отклика. Гирация материала возрастает с уменьшением толщины пленки, хотя сам эффект Керра при этом может уменьшаться.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=38487650

15. 033911
Буркова Л.А., Иванов Д.К., Иванов К.Г., Щербаков А.П. ОСЦИЛЛЯЦИИ НАПРЯЖЕНИЯ В ТОНКИХ УГЛЕРОДНЫХ ПЛЕНКАХ В ОБЛАСТИ ОТРИЦАТЕЛЬНОГО ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ//Прикладная физика. 2019. № 1. С. 66-70.

Исследована тонкая пленка, полученная осаждением на подложку фрагментов углеродного волокна, образовавшихся вследствие его взрывного разрушения при пропускании сильных импульсных токов. Показано, что при напряжении порядка 300 В пленка входит в область отрицательного дифференциального сопротивления N-типа, в которой наблюдаются релаксационные осцилляции напряжения. Предложен механизм возникновения отрицательного дифференциального сопротивления и появления осцилляций напряжения

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=37027103

16. PDF
Бычков А.А. РАВНОВЕСНОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КОМПОНЕНТ СПЛАВА SIGE В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛЕНКЕ НА SI ПОДЛОЖКЕ//Инженерный вестник Дона. 2020. № 1 (61). С. 6.

Исследованы условия равновесия двухкомпонентного упругого слоя содержащего дислокации несоответствия. Рассматривается пленка SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островки нанометровых размеров на смачивающем слое. Учитывается неравномерное распределение Ge в объеме образцов. Построены трехмерные модели плоской пленки с дислокацией и островков. Расчет упругих деформаций выполнен с использованием метода конечных элементов. Для расчета распределения Ge в пленке, использованы аппроксимирующие формулы и итерационный алгоритм. Согласно полученным результатам, неравномерное распределение Ge обеспечивает релаксацию упругой энергии в сплаве, а атомы Ge концентрируются на выступах возмущенной поверхности пленки и в вершинах островков. Учет неоднородности распределения Ge в образцах оказывает существенное влияние на рост островков (стабильный рост происходит при меньших размерах островков) и волнистости на свободной поверхности.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42691504

17. PDF
Варушкин П.Э., Ракитин В.В., Новиков Г.Ф. СИНТЕЗ ТОНКИХ ПЛЕНОК CZTS МЕТОДОМ CBD ИЗ РАСТВОРОВ, СОДЕРЖАЩИХ ДМСО//Научный альманах. 2018. № 3-2 (41). С. 174-177.

В настоящей работе рассматривалась возможность получения тонких пленок CZTS методом CBD на стеклянных подложках из прекурсорного раствора ДМСО, содержащего различное количество ионов меди. По сравнению с другими растворителями, ДМСО имеет ряд преимуществ, таких как высокая полярность (дипольный момент = 3.9) и высокая координирующая способность для большинства ионов металлов

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=35077462

18. 001802
Виглин Н.А., Цвелиховская В.М., Кулеш Н.А., Павлов Т.Н. ЭФФЕКТИВНАЯ ИНЖЕКЦИЯ СПИНОВ ИЗ ФЕРРОМАГНИТНОГО МЕТАЛЛА В ПОЛУПРОВОДНИК INSB//Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 110. № 3-4 (8). С. 248-254.

Показаны условия создания полупроводниковых латеральных спиновых устройств с высокой эффективностью спиновой инжекции. Детально рассмотрены технологические аспекты формирования магнитных элементов спинового устройства, его электрических контактов и тонкого диэлектрического слоя из MgO, необходимые для эффективной инжекции спин-поляризованных электронов. Впервые получен для InSb коэффициент поляризации электронов порядка 25 %.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=39175313

19. PDF
Волков К.А. ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК В ЗАВИСИМОСТИ ОТ КОМБИНАЦИИ ЛЕГИРУЮЩИХ СЛОЕВ И ВАРЬИРУЕМЫХ ПАРАМЕТРОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО РЕЖИМА//Инновации. Наука. Образование. 2022. № 49. С. 1224-1233.

В статье представлены исследования оптических спектров и топологии поверхности двухслойных структур Si(B)ZnO, Si(P)ZnO и трехслойных структур Si(P)Si(B)ZnO, в зависимости от варьируемых параметров технологического процесса магнетронного реактивного распыления при получении пленок. Определены комбинации с резко выделяющимися свойствами.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=47949251

20. PDF
Воронин А.С., Хартов С.В. ЛАЗЕРНО-ИНДУЦИРОВАННОЕ ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ПЛАЗМОННЫХ НАНОЧАСТИЦ ЗОЛОТА НА ПОРИСТОЙ ПЛЕНКЕ TIO2 ДЛЯ ФОТОКАТАЛИТИЧЕСКИХ ПРИЛОЖЕНИЙ//Актуальные научные исследования в современном мире. 2021. № 11-10 (79). С. 115-121.

В работе рассмотрены фотоэлектрохимические характеристики тонкопленочного композита пленка TiO2 с осажденными плазмонными золотыми наночастицами. Осаждение золотых наночастиц осуществлялось методом LCLD. Изучены структурные характеристики композита, показано, что пористая плёнка TiO2 имеет решетку относящуюся к тетрагональной сингонии и находится в фазе анатаза. Золотые наночастицы формируются преимущественно на поверхности пористой плёнки TiO2. Проведен комплекс фотоэлектрохимических измерений, показано, что осаждение золотых наночастиц привело к значительному увеличению плотности фототока на 840 % и эффективности функционирования фотогальванической ячейки на основе пары S2-/ S2-n. Предложенная концепция направлена на то, чтобы опробовать методику формирования однородного слоя плазмонных золотых наночастиц на пористом слое TiO2 и изучения их фото с целью дальнейшего масштабирования и получения фотоэлектродов состава Au/TiO2/FTO большой площади в том числе в roll-to-roll процессе.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=47442382

21. 039284
Головкина М.В. МЕТОДЫ УПРАВЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТОМ ОТРАЖЕНИЯ ОТ ТОНКОЙ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ПЛЕНКИ//Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. 2020. № 2. С. 120-124.

В работе рассматриваются электродинамические свойства тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводников, находящихся в смешанном состоянии. Магнитные свойства тонкой сверхпроводящей пленки учитываются в рамках модели динамической магнитной восприимчивости для случая линейного отклика решетки вихрей Абрикосова на малое внешнее воздействие. Учитывается зависимость магнитной проницаемости сверхпроводника от внешнего магнитного поля, температуры и характерных размеров сверхпроводника. Проводятся расчеты коэффициента отражения от тонкой сверхпроводящей пленки из иттриевой керамики, находящейся на диэлектрической подложке для случая, когда внешнее магнитное поле направлено нормально поверхности. Результаты проведенных расчетов показывают, что коэффициент отражения от исследуемой структуры существенным образом зависит как от величины приложенного внешнего магнитного поля, так и от температуры. Особенностью рассматриваемой структуры является наличие резкого максимума в зависимости коэффициента отражения как от частоты, так и от величины внешнего магнитного поля. Результаты, полученные в работе, показывают, что тонкая пленка сверхпроводника второго рода, находящегося в смешанном состоянии, может обладать достаточно сильными магнитными свойствами, достаточными для того, чтобы существенным образом влиять на величину коэффициента отражения от сверхпроводника. Поэтому структура из сверхпроводящей пленки на диэлектрической подложке может использоваться для создания перестраиваемых магнитным полем высокочувствительных устройств.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42513823

22. PDF
Горбачев Евгений Андреевич Однодоменные частицы SrFe12-xMxO19 (M = Al, Ga, Cr): синтез, магнитные свойства, особенности кристаллической структуры//Автореферат диссертации.Москва.2022

Однодоменные частицы SrFe12-xMxO19 (M = Al, Ga, Cr): синтез, магнитные свойства, особенности кристаллической структуры

http://notio.benran.ru/ben01001736774.pdf/details

23. PDF
Данилов Павел Александрович Прецизионное лазерное микро- и наноструктурирование серебряных пленок// автореферат диссертации. Москва.2021

Прецизионное лазерное микро- и наноструктурирование серебряных пленок

http://notio.benran.ru/ben01000145249.pdf/details

24. 045181
Девицкий О.В., Захаров А.А., Лунин Л.С., Сысоев И.А., Пащенко А.С., Вакалов Д.С., Чапура О.М. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ НА СТРУКТУРУ И МОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК IN GA, AS НА ПОДЛОЖКЕ GAAS (100)//Конденсированные среды и межфазные границы. 2022. Т. 24. № 3. С. 300-305.

Представлены результаты исследования структуры и морфологии поверхности тонких пленок InGaAs на подложке GaAs. Тонкие пленки были получены методом магнетронного распыления из специально сформированной мишени In045Ga055As в атмосфере аргона. Полученные образцы тонких пленок исследовали методами комбинационного рассеяния света, атомно-силовой микроскопии, сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. Показано, что зерна пленок, полученных при температуре подложки ниже 600 °С не имеют огранки и образованы сращиванием зерен с размером 30-65 нм. При температуре подложки 600 °С пленка состояла из субмикронных зерен с хорошо заметной огранкой. Определено, что с увеличением температуры подложки средний размер зерна увеличивается, а среднеквадратическая шероховатость тонких пленок снижается. Наилучшими структурными свойствами обладают тонкие пленки, полученные при температуре подложки 600 °C.

https://elibrary.ru/item.asp?id=49476466

25. 002307
Дерябин А.С., Соколов Л.В., Труханов Е.М. ЗАВИСИМОСТЬ ФОРМЫ ДИСЛОКАЦИОННЫХ ЯМОК ТРАВЛЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ GЕSI (001) НА SI ОТ ТОЛЩИНЫ ПЛЕНКИ//Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2019. Т. 83. № 6. С. 747-749.

С помощью атомно-силового микроскопа и структурно-чувствительного травления эпитаксиальных пленок GeSi на Si(001) исследована кристаллография четырехугольного контура, ограничивающего дислокационную ямку травления в плоскости поверхности пленки. В зависимости от таких характеристик пленки как ее толщина и наличие дислокационных полос скольжения стороны контура могут быть параллельными как направлениям типа ?110?, так и направлениям ?010?. Ямки травления ограничены низкоиндексными фасетками {111} и {110}, и согласно электрохимической гипотезе их формирование обусловлено распределением напряжений вблизи полос скольжения.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=37713889

26. PDF
Джежеря Ю.И., Азарх Д.П., Климук Е.С., Хребтов А.О. МАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ В ФЕРРОМАГНИТНОЙ ПЛЕНКЕ С МОДУЛИРОВАННОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ В УСЛОВИЯХ ОРИЕНТАЦИОННОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА//Физика низких темпеpатуp. 2018. Т. 44. № 1. С. 59-65.

На основании уравнений динамики намагниченности Ландау-Лифшица описаны особенности формирования межфазной границы в условиях пространственной модуляции константы анизотропии по толщине пленки. Получены уравнения Лагранжа для коллективных переменных поля намагниченности, на основании которых исследована динамика колебаний межфазной границы в переменном магнитном поле. Показано, что при определенных условиях проявления резонанса межфазной границы чрезвычайно чувствительны к направлению и величине внешнего магнитного поля. В связи с этим данную систему естественно использовать в качестве остронаправленного детектора магнитного поля.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=32266225

27. 046733
Джепаров Д.И., Гусев Н.А., Пугач Н.Г., Львов Б.Г., Екомасов Е.Г. ВИЗУАЛИЗАЦИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ СПИРАЛЬНОЙ НАМАГНИЧЕННОСТИ ФЕРРОМАГНИТНОГО СЛОЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО СПИНОВОГО ВЕНТИЛЯ//Известия Уфимского научного центра РАН. 2021. № 1. С. 5-9.

Исследуется переключение сверхпроводящего спинового вентиля на основе спирального магнетика. В качестве магнетика рассматривается соединение MnSi, которое имеет сложную магнитную структуру с намагниченностью в виде геликоидальной спирали. Приводится модель двухслойного сверхпроводящего спинового вентиля на основе спирального магнетика и прилегающим тонким слоем сверхпроводника. Ранее было показано, что критическая температура такой сверхпроводящей пленки зависит от направления магнитной спирали. Произведен расчет магнитодинамики этой структуры, на основе которой в перспективе можно будет строить элементы памяти или логики низкотемпературной наноэлектроники. Было реализовано несколько задач по математическому моделированию переключения намагниченности спинового вентиля, исследованию структуры спинового вентиля в программах электромагнитного моделирования для изменения намагниченности и поворота вектора спирали магнетика под действием импульса магнитного поля, построению и анализу трехмерного распределения намагниченности спирального магнетика для отслеживания процесса перемагничивания. В ходе работы были использованы средства программирования в среде Matlab, инструменты построения графиков распределения векторных полей. Показано, что направление магнитной спирали можно переключать импульсным магнитным полем. Исследованы получившиеся распределения намагниченности и визуализированы в виде векторных полей.

https://elibrary.ru/item.asp?id=44882706

28. PDF
Драгунов И.Е. МОДЕЛЬНЫЕ РАСЧЕТЫ РАВНОВЕСНЫХ ПАРАМЕТРОВ И КРИТИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ ДОМЕНОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ С ПЕРПЕНДИКУЛЯРНОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ//Физика и техника высоких давлений. 2021. Т. 31. № 3. С. 44-62.

Проведено теоретическое исследование равновесного состояния изолированного цилиндрического магнитного домена (ЦМД) в многослойной ферромагнитной пленке с перпендикулярной анизотропией на основе энергетического метода. Определены равновесные и критические параметры ЦМД и установлена область его существования и устойчивости. Проведена оценка результатов, полученных в упрощенных моделях на основе двухкомпонентной пленки.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=46674550

29. 049036
Живулько А.М., Янушкевич К.И., Даниленко Е.Г., Зеленов Ф.В., Бандурина О.Н. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ MN1-XGDXSE//Сибирский аэрокосмический журнал. 2022. Т. 23. № 4. С. 748-755.

Исследуются возможные материалы для спинтроники, функционирующие в экстремальных условиях, на основе селенидов марганца, замещенных гадолинием. Приводится технология синтеза твердых растворов на основе твердофазных реакций с использованием соединений MnSe и GdSe. В результате синтезированы твердые растворы Mn1-xGdxSe с концентрациями х = 0,05; 0,1; 0,15 и 0,5. Синтез осуществлен в условиях вакуума 10-2 Па. Продукты первичного синтеза подвергались тщательному измельчению в порошки, из которых под давлением делались таблетки для гомогенизирующего отжига при 1370 К. После двухчасовой выдержки продукты синтеза закалялись в холодной воде. На завершающем этапе получены однородные прочные слитки серовато-серебристого цвета. Рентгенофазовый анализ синтезированных твердых растворов системы Mn1-xGdxSe выполнен в Cu-K a-излучении в режиме измерений по точкам с шагом сканирования по углу ?2? = 0,03 degree, время набора информации в точке отсчета ?? = 3 с. Определена пространственная группа симметрии и параметр элементарной кристаллической ячейки твердых растворов системы Mn1-xGdxSe из рентгеноструктурного анализа. Найдена зависимость величины параметра кристаллической решетки твердых растворов от концентрации ионов гадолиния. Измерена удельная намагниченность пондеромоторным методом в магнитном поле с индукцией В = 0,86 Тесла и определена магнитная восприимчивость образцов в интервале температур 80 ? Т ? 950 К. Проведенные циклы в режиме «нагрев - охлаждение» изменения свойств не обнаружили. Определены температуры Нееля и парамагнитная температура Кюри из закона Кюри - Вейсса в зависимости от концентрации редкоземельного элемента. Установлено уменьшение температуры магнитного фазового перехода.

https://elibrary.ru/item.asp?id=50062818

30. PDF
Исмаилов Данияр Валерьевич Наноструктурированные слои и тонкие пленки на основе оксида цинка//Автореферат диссертации. Томск.2018

Наноструктурированные слои и тонкие пленки на основе оксида цинка

http://notio.benran.ru/ben01000127711.pdf/details

31. PDF
Кибирев Иван Алексеевич Электронная структура халькогенидов: реконструкции, тонкие пленки и гетероструктуры//Автореферат диссертации.Владивосток.2018

Электронная структура халькогенидов: реконструкции, тонкие пленки и гетероструктуры

http://notio.benran.ru/ben01000131933.pdf/details

32. 033911
Кононов М.А., Растопов С.Ф. ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА КОНТРОЛЯ РОСТА ПЛЕНОК SI3N4 НА КВАРЦЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ, НАНЕСЕННЫХ МЕТОДОМ РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОЙ МИШЕНИ//Прикладная физика. 2022. № 1. С. 70-74.

Тонкие пленки нитрида кремния широко применяются как в микроэлектронике, так и в оптических и оптоэлектронных приборах. Для получения пленок Si3N4 используются такие методы как химическое осаждение из газовой фазы и магнетронное напыление. В работе представлены результаты исследований по контролю над ростом и оптическими свойствами пленок Si3N4 устройством, работа которого основана на возбуждении поверхностного плазмонного резонанса и позволяет активно влиять на процесс роста нитридной пленки.

https://elibrary.ru/item.asp?id=48038962

33. 00179X
Коплак О.В., Куницына Е.И., Аллаяров Р.С., Манжен С., Грановский Н.В., Моргунов Р.Б. ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЕ ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК COFEB И ГЕТЕРОСТРУКТУР COFEB/TA/COFEB ПОД ДЕЙСТВИЕМ ПОЛЯ РАССЕЯНИЯ НАНОЧАСТИЦ FE/FE3O4//Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2020. Т. 158. № 4 (10). С. 693-705.

Экспериментально обнаружено перемагничивание гетероструктур MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO/Ta/ GaAs и ультратонких пленок MgO/CoFeB/MgO/Ta/GaAs с перпендикулярной анизотропией под действием магнитного поля кластеров наночастиц Fe/Fe3O4. Магнитное поле рассеяния наночастиц Fe/Fe3O4 увеличивает поле переключения намагниченности спиновых вентилей и монослойных платформ. Методами атомно-силовой и магнитно-силовой микроскопии получены зависимости размера области перемагничивания ферромагнитной платформы под наночастицами Fe/Fe3O4 от размера кластеров. Обнаружено превышение размеров области перемагничивания над размером кластера частиц, вызванное действием рассеивающего поля кластера наночастиц Fe/Fe3O4. С помощью микромагнитного моделирования определены ориентации локальных намагниченностей в слоях CoFeB под кластерами наночастиц и диаметр перемагниченной области в зависимости от магнитного момента и размера кластера.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=44048672

34. 00179X
Коровай А.В., Мангир А.Г., Хаджи П.И. ОСОБЕННОСТИ ПРОПУСКАНИЯ (ОТРАЖЕНИЯ) УЛЬТРАКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ РЕЗОНАНСНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ТОНКОЙ ПЛЕНКОЙ ПОЛУПРОВОДНИКА В УСЛОВИЯХ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЭКСИТОНОВ И БИЭКСИТОНОВ//Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 155. № 1. С. 5-19.

Изучено нестационарное пропускание двух падающих на тонкую пленку ультракоротких импульсов лазерного излучения. Частота излучения одного из падающих импульсов находится в резонансе с двухфотонным переходом из основного состояния кристалла в биэкситонное, тогда как другой когерентно смешивает экситонное и биэкситонное состояния, приводя к сильной перенормировке энергетического спектра кристалла. Получена система нелинейных уравнений, описывающая временную эволюцию экситонной и биэкситонной амплитуд и полей трех проходящих через пленку импульсов. Исследовано влияние амплитуд и ширин падающих импульсов и временной задержки между ними на особенности их пропускания пленкой. Предсказан эффект существенной временной задержки в генерации проходящего через пленку импульса относительно падающего, резонансного частоте экситон-биэкситонного перехода. Доказана возможность генерации прекурсора, т. е. импульса, проходящего через пленку раньше, чем пик падающего импульса достигнет пленки, а также возможность генерации отраженного импульса в отсутствие падающего.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=36788256

35. 036680
Костишин В.Г., Миронович А.Ю., Шакирзянов Р.И., Исаев И.М., Сергиенко А.А. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ СПОСОБЫ И МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТНОЙ ТЕКСТУРЫ В ПЛЕНКАХ ГЕКСАФЕРРИТОВ ТИПА М ПРИ ИХ ВАКУУМНОМ ОСАЖДЕНИИ//Успехи прикладной физики. 2020. Т. 8. № 5. С. 370-394.

Гексаферриты бария и стронция типа М со структурой магнитоплюмбита являются востребованными материалами для постоянных магнитов, рабочих магнитных сред СВЧ-приборов и приборов магнитооптики, террагерцовой спектроскопии, а также поглотителей электромагнитного излучения СВЧ-диапазона. Среди других типов ферритов (ферритов шпинелей, ферритов грантов, ортоферритов) ферриты с гексагональной структурой имеют наиболее выраженную кристаллографическую магнитную анизотропию, которая обуславливает высокие намагниченность насыщения (4pMs~ 4700 Гс) и частоту ферромагнитного резонанса (~ 50 ГГц). Для микрополосковых планарных приборов нового поколения требуется интеграция магнитных ферритовых материалов с полупроводниковыми материалами, что обуславливает большое количество работ по пленочным ферритам. Так как одним из наилучших кандидатов на роль материалов СВЧ-приборов нового поколения являются гексаферриты бария и стронция, данный обзор посвящен физическим свойствам тонких пленок гексаферритов, осажденных с помощью вакуумных методов (магнетронное напыление, импульсное лазерное осаждение). Выбор именно вакуумных методов обусловлен тем, что вакуумные технологии нанесения тонких пленок являются компромиссными по критерию цена/качество для создания анизотропных магнитных пленок по сравнению с традиционными для ферритов технологиями синтеза: жидкофазной эпитаксией, керамической технологией. Цель данного обзора - на основе информации из научных публикаций с наиболее интересными и обоснованными результатами обсудить влияние различных факторов на кристаллографическую текстуру и магнитную анизотропию тонких пленок гексаферритов бария и стронция, осаждаемых вакуумными методами.

https://elibrary.ru/item.asp?id=44190050

36. 002307
Котов Л.Н., Ласёк М.П., Турков В.К., Холопов Д.М., Власов В.С., Калинин Ю.Е., Ситников А.В. ФЕРРОМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС В КОМПОЗИТНЫХ ПЛЕНКАХ МЕТАЛЛ–ДИЭЛЕКТРИК И МЕТАЛЛ–УГЛЕРОД//Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2020. Т. 84. № 9. С. 1255-1257.

Приведены результаты исследований магнитно-резонансных свойств композитных пленок составов металл–диэлектрик (CoFeB + SiO2) и металл–углерод (CoFeB + C). Проанализировано влияние концентраций магнитной металлической, диэлектрической и углеродной фаз композитных пленок на характеристики ферромагнитного резонанса.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=43832602

37. PDF
Кудрин, Алексей Владимирович Ферромагнитные полупроводниковые структуры на основе слоев AIII BV , легированных атомами Mn и Fe//автореферат диссертации. Нижний Новгород.2022

Ферромагнитные полупроводниковые структуры на основе слоев AIII BV , легированных атомами Mn и Fe

http://notio.benran.ru/ben01001639255.pdf/details

38. 001802
Лежнев С.К., Юсупов А.Р., Галиев А.Ф., Корнилов В.М., Гадиев Р.М., Лачинов А.Н. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛИМЕРНОЙ ПЛЕНКИ, СОДЕРЖАЩЕЙ ГРАНИЦУ РАЗДЕЛА ПОЛИМЕР/ПОЛИМЕР//Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 110. № 7-8 (10). С. 437-442.

В работе исследовано влияние двумерной квантоворазмерной структуры, сформированной на границе раздела полимер/полимер, на излучательную рекомбинацию экситонов, т.е. электролюминесценцию. Показано, что введение такой структуры в полимерную пленку приводит к росту интенсивности излучения более чем на два порядка и уменьшению порога двойной инжекции по напряжению в два раза. Установлено, что граница раздела полимер/полимер служит фронтом рекомбинации экситонов, а ее положение внутри пленки влияет на интенсивность электролюминесценции. Положение двумерной структуры в полимерной пленке, соответствующее максимальной интенсивности излучательной рекомбинации, коррелирует с соотношением подвижности носителей заряда - электронов и дырок.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=41184008

39. 001681
Маренкин С.Ф., Риль А.И., Федорченко И.В., Козлов В.В. СИНТЕЗ ФЕРРОМАГНИТНЫХ СПЛАВОВ ПОЛУПРОВОДНИК-ФЕРРОМАГНЕТИК В СИСТЕМЕ CDAS2–MNAS//Журнал неорганической химии. 2020. Т. 65. № 8. С. 1092-1098.

Вакуумно-ампульным методом синтезированы сплавы полупроводник-ферромагнетик в системе CdAs2–MnAs. Методами ДТА, РФА, ДСК и СЭМ показано, что эта система эвтектическая (тип игольчатый) с координатами эвтектики: 6 ± 0.5 мол. % MnAs, tпл = 614 ± 1°С. Линии ликвидуса, построенные по тепловым эффектам плавления ДТА, на 40–50°С выше, чем линии, построенные по тепловым эффектам кристаллизации, что обусловлено склонностью CdAs2 к стеклованию. Сплавы ферромагнитные с Tс = 315 K, намагниченность в них возрастает с увеличением содержания MnAs. Сплавы с нановключениями ?40 нм ферромагнитной фазы MnAs приготовлены кристаллизацией из расплавов при высоких скоростях охлаждения (?100 град/с). Температура Кюри (Tс) в них возрастает до 353 K, и наблюдается эффект отрицательного магнетосопротивления ?R = 2% при 300 K в магнитном поле насыщения 4500 Э, что представляет практический интерес для создания магнитных гранулированных структур спинтроники.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=43039631

40. PDF
Марышев С.Н., Моисеев А.В., Вилков Е.А., Фомин Л.А. СПЕКТРАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА МАГНИТОУПРУГИХ ВОЛН В ЩЕЛЕВОЙ СТРУКТУРЕ ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК ПРИ ИХ ДОЗВУКОВОМ ОТНОСИТЕЛЬНОМ ПЕРЕМЕЩЕНИИ//Журнал радиоэлектроники. 2019. № 7. С. 6.

Теоретически рассматривается влияние дозвукового относительного продольного перемещения (ОПП) планарной структуры двух ферромагнитных пленок с зазором на спектр щелевых магнитоупругих волн. Проведен анализ преобразования магнитоупругих волн в щелевой структуре и спектральные особенности мод в режиме малых (много меньше звуковых) скоростей относительного перемещения и при различных значениях толщин зазора и пленок. Результаты исследований могут составить теоретическую основу для разработки систем мониторинга устройств, в которых перемещение деталей с определенной скоростью положено в основу функционирования.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=40615913

41. 00179X
Миронов А.Ю., Постолова С.В., Насимов Д.А. МАГНИТОПОЛЕВАЯ ЭВОЛЮЦИЯ ЛИНЕЙНОЙ И НЕЛИНЕЙНОЙ ПРОВОДИМОСТИ В ПЕРФОРИРОВАННЫХ ПЛЕНКАХ TIN//Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2020. Т. 158. № 2 (8). С. 329-333.

Представлены результаты экспериментального исследования низкотемпературного линейного и нелинейного транспорта в наноперфорированных пленках нитрида титана. Показано, что в данной системе возникает бозе-металлическое состояние при низких температурах, переходящее в металлическое в магнитном поле. Обнаружены осцилляции линейного и дифференциального магнитосопротивления. Получены свидетельства наблюдения индуцированного постоянным током перехода вихревого изолятора Мотта в металлическое состояние.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=43802190

42. 045181
Миттова И.Я., Сладкопевцев Б.В., Миттова В.О. НАНОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ И МАГНИТНЫЕ НАНОКРИСТАЛЛЫ - НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ НАУЧНОЙ ШКОЛЫ Я. А. УГАЯ "ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА И ПОЛУПРОВОДНИКОВ". ОБЗОР//Конденсированные среды и межфазные границы. 2021. Т. 23. № 3. С. 309-336.

Рассмотрены новые направления развития научной школы Якова Александровича Угая «Химия твердого тела и полупроводников» в разделе «Материаловедение полупроводников и наноразмерных функциональных пленок на их основе», руководимые И. Я. Миттовой. Работы учеников и последователей научной школы Я. А. Угая охватывают материаловедческую тематику в области химии твердого тела, неорганической и физической химии. На современном этапе исследований упор сделан именно на наноразмерные объекты, т. к. здесь наиболее ярко выявляется основная закономерность современной химии твердого тела: способ синтеза - состав - структура (степень дисперсности) -свойства. Под руководством д. х. н., проф. Миттовой И. Я. ведутся исследования в двух ключевых направлениях: «Наноразмерные полупроводниковые и диэлектрические пленки» и «Допированные и недопированные нанокристаллические ферриты». В первой области решается проблема создания качественных полупроводниковых и диэлектрических наноразмерных пленок на AIIIBV за счёт воздействия на процесс термооксидирования полупроводников обоснованно выбранных хемостимуляров и/или направленной модификации состава и свойств пленок. Приведены достигнутые к настоящему моменту конкретные результаты, отражающие положительное влияние хемостимуляторов и модификаторов на темп формирования диэлектрических и полупроводниковых пленок наноразмерного диапазона толщины и их функциональные характеристики, имеющих перспективы практического применения. Наноматериалы на основе ортоферритов иттрия и лантана со структурой перовскита обладают уникальными магнитными, оптическими и каталитическими свойствами. Использование различных подходов к их синтезу и допированию позволяет в широком диапазоне управлять структурой и свойствами. В области магнитных нанокристаллов под руководством проф. Миттовой И. Я. проводятся исследования влияния допирующей примеси на состав, структуру и свойства наночастиц ортоферритов иттрия и лантана замещением катиона Y(La)3+ и Fe3+. В рамках этого направления в Социалистической республике Вьетнам успешно работает один из талантливых учеников проф. И. Я. Миттовой - Нгуен Ань Тьен; к настоящему времени разработаны новые методики синтеза нанокристаллов допированных и недопированных ферритов, в том числе и ферритов неодима, празеодима, гольмия и т. п.

https://elibrary.ru/item.asp?id=46547263

43. 03331X
Морозова М.А., Матвеев О.В. РЕЗОНАНСНЫЕ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ЯВЛЕНИЯ ПРИ РАСПРОСТРАНЕНИИ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛН В МУЛЬТИФЕРРОИДНЫХ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЁНОК И МАГНОННЫХ КРИСТАЛЛОВ//Известия высших учебных заведений. Прикладная нелинейная динамика. 2022. Т. 30. № 5. С. 534-553.

Целью данной работы является составление обзора нового и плодотворного научного направления в магнонике, которое выросло из работ доктора физико-математических наук, профессора Юрия Павловича Шараевского и связано с исследованиями резонансных и нелинейных явлений при распространении магнитостатических волн в ферромагнитных плёнках, ферромагнитных плёнках с периодическими неоднородностями (магнонных кристаллах), связанных (слоистых и латеральных) ферромагнитных структурах, а также ферромагнитных структурах со слоями другой физической природы (полупроводниковыми, сегнетоэлектрическими, пьезоэлектрическими, слоями нормального металла). Методы. Использованы экспериментальные и теоретические методы исследования спин-волновых возбуждений в широком классе структур с ферромагнитными слоями. В частности, экспериментальные радиофизические методы СВЧ-измерений и оптические методы мандельштам-бриллюэновской спектроскопии. Для построения теоретических моделей использованы: метод связанных волн, метод сшивания магнитных проницаемостей на границах слоёв, метод матриц передачи, длинноволновое приближение. Результаты. Представленные результаты имеют общенаучное значение для понимания основных закономерностей совместного влияния связи, периодичности и взаимодействий разной физической природы (влияние на магнитостатическую волну деформации в периодических структурах с пьезоэлектриком, электромагнитной волны в структурах с сегнетоэлектриком, электрического тока в структурах с полупроводником, спинового тока в структурах с нормальным металлом). В прикладном плане выявленные эффекты открывают широкие возможности для создания новых устройств спин-волновой электроники с возможностью динамического управления характеристиками при изменении электрического и магнитного поля, а также мощности входного сигнала. Выводы. Приведен обзор наиболее интересных результатов, полученных авторами совместно с Юрием Павловичем Шараевским и являющихся идейным продолжением заложенных им основ.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49475424

44. PDF
Насрат А., Азими Н., Плотников В.А., Макаров С.В. ЛАЗЕРНЫЙ МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДНЫХ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК//Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2022. Т. 19. № 4. С. 463-469.

Лазерный метод прямого испарения углеродных мишений в интервале энергий лазерного излучения 4-6 Дж позволяет получить парогазовую фазу углерода с преимущественной sp3-гибридизацией электронов. В ходе конденсации такого углерода на аморфную подложку из силикатного стекла осуществляется поатомная сборка тетрагональных алмазоподобных кластеров в виде двумерной пленки, в которой концентрация графитоподобных кластеров, сформированных углеродом за счет sp2-связей, существенно ниже. То есть структура такой пленки представляет собой композиционный материал, в котором свойства композита будут зависеть от соотношения алмазоподобной и графитоподобной фаз. Проведенные исследования структурного состояния углеродных алмазоподобных пленок подтверждают наличие как алмазоподобных, так и графитоподобных кластеров размером не более 1 нм. Электронная микроскопия надежно фиксирует тетрагональные (алмазоподобные) кластеры. Дифракция электронов свидетельствует, что кристаллографические параметры - межплоскостные расстояния плоскостей (111) и (220) d111=0,207 нм, d220=0,119 нм примерно соответствуют алмазным, равными соответственно для крупнокристаллического алмаза d111=0,205 нм и d220=0,125 нм. Если электронная микроскопия не позволяет зафиксировать графитоподобные кластеры в структуре пленки, то Раман-спектроскопия, фиксирующая G-пик около 1600 см-1и D-пик, так называемая D-мода из-за разупорядочения в графите (disorder peak). Линия около 1393 см-1в спектрах комбинационного рассеяния света, идентифицирует наличие графитоподобных кластеров с разупорядоченной укладкой графеновых плоскостей.

https://elibrary.ru/item.asp?id=50001503

45. 001751
Николаев Д.В., Попов В.И., Тимофеев В.Б., Смагулова С.А. СИНТЕЗ ГРАФЕНОВЫХ ПЛЕНОК БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ МЕТОДОМ ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ//Журнал структурной химии. 2018. Т. 59. № 4. С. 800-806.

Проведен синтез графеновых пленок методом химического газофазного осаждения. Источником углерода служил газообразный метан, осаждение проводили на медную фольгу. Установлены следующие оптимальные условия роста качественных графеновых пленок больших площадей: предварительный отжиг фольги при температуре 970-990 °C в атмосфере смеси аргона с водородом в течение 30-40 мин; одновременная подача смеси аргон-водород (100 см3/мин) и метана (10 см3/мин) в течение 5-10 мин и последующее охлаждение в инертной атмосфере. В результате синтезированы графеновые пленки толщиной 1-10 слоев и с полным покрытием медной фольги площадью до 50 см2. Разработаны и освоены несколько методов переноса графена на диэлектрические подложки, таких как оксид кремния и гибкая полимерная пленка. На основе синтезированных графеновых пленок созданы гибкая прозрачная проводящая сенсорная панель и высокочувствительный резистивный датчик влажности, работающий в режиме быстрого отклика.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=35104054

46. 001802
Петров Е.К., Силкин И.В., Меньщикова Т.В., Чулков Е.В. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ CR-СОДЕРЖАЩАЯ ФЕРРОМАГНИТНАЯ ПЛЕНКА - ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ ИЗОЛЯТОР, КАК ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ КВАНТОВОГО АНОМАЛЬНОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА//Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 109. № 1-2. С. 118-123.

В настоящей работе мы представляем результаты теоретического исследования двух гетероструктур, состоящих из подложки топологического изолятора Bi2Se3 и тонкой пленки ферромагнитного изолятора CrI3 или CrBi2Se4. Рассчитанный электронный спектр свидетельствует о том, что в обеих гетероструктурах реализуется квантовый аномальный эффект Холла, с величиной расщепления топологического поверхностного состояния 19 и 92 мэВ для CrI3/Bi2 Se3 и CrBi2Se4/Bi2 Se3, соответственно. Показано, что основное влияние на величину энергетической щели оказывает степень локализации волновой функции топологического состояния в ферромагнитной пленке, которая зависит от величины и ширины интерфейсного барьера на границе раздела подложки и ферромагнитного материала. В случае системы CrBi2 Se4/Bi2Se3 как величина, так и ширина барьера подобны таковым характеристикам ван-дер-ваальсового барьера в объемном Bi2Se3.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=36855228

47. 036322
Рохас-Флорес С.Д., Анжелат-Силва Л.М., Ролдан Лопес Х.А., Емельянов Н.А., Сизов А.С. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ BIFEO3/COFE2O4, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ-СИНТЕЗА//Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологии. 2018. Т. 8. № 4 (29). С. 171-179.

Методом золь-гель-синтеза получены многослойные (14 слоёв толщиной 115-122 нм каждый) нанокомпозиты BiFeO3/CoFe2O4 с различным порядком осаждения слоев и температурами отжига (700, 725 и 750 °C). Показано, что слои BiFeO3 и CoFe2O4 имеют поликристаллическую структуру, при этом слои BiFeO3 кристаллизуются в структуру перовскита, а CoFe2O4 - обращенной шпинели. Исследовано влияние порядка осаждения слоев и температуры их термической обработки на параметры кристаллической решетки и средние размеры кристаллитов в слоях. При этом порядок осаждения слоев оказывает влияние на средние размеры частиц BiFeO3 (49-36 нм) для серии образцов -BFO/CFO- и (19-13 нм) для -CFO/BFO- в зависимости от температуры отжига (700 до 750 ?C). Для всех исследуемых образцов получены петли сегнетоэлектрического и ферромагнитного гистерезиса при комнатной температуре. Таким образом, все полученные образцы являются мультиферроиками. Определены значения остаточной поляризации, поляризации насыщения, остаточной намагни-ченности и величины коэрцитивного поля для исследуемых образцов. Установлено влияние изменения структуры на сегнетоэлектрические и ферромагнитные свойства образцов. Показано, что уменьшение среднего размера кристаллитов в слоях BiFeO3 с ростом температуры их отжига сопровождается уменьшением наблюдаемых значений как остаточной поляризации (от 66 до 50 мкК/см2 для -BFO/CFO- и от 75 до 23 мкК/см2 для -CFO/BFO-) и намагниченности (104-48 emu/gr для -BFO/CFO- и 107-46 emu/gr для -CFO/BFO-), что обусловлено влиянием размерного эффекта.

https://elibrary.ru/item.asp?id=36901829

48. 046678
Русских М.А., Полковников И.С., Пантелеева В.В., Шеин А.Б. ПАССИВАЦИЯ MNSI-ЭЛЕКТРОДА В СЕРНОКИСЛЫХ СРЕДАХ//Вестник Пермского университета. Серия: Химия. 2020. Т. 10. № 2. С. 221-232.

Ряд особенностей электродных реакций, протекающих на поверхности силицидов переходных металлов (высокая прочность связи металл-кремний, влияние химических стадий и образование пассивирующих оксидных пленок) обуславливают высокий интерес к данным интерметаллическим соединениям. Методами поляризационных и импедансных измерений изучено анодное поведение MnSi-электрода в растворах 0,5 MH2SO4 и 0,05 MH2SO4 + 0,45 MNa2SO4. Сделан вывод, что в процессе анодного окисления на поверхности моносилицида марганца формируется барьерная оксидная пленка, близкая по составу к SiO2. Рассчитаны толщина и удельное сопротивление оксидной пленки в зависимости от потенциала электрода и кислотности электролита. Результаты исследований, их теоретическое обоснование и обобщение могут служить основой для прогнозирования коррозионной стойкости сплавов металл-кремний в широком диапазоне агрессивных сред.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=43874186

49. 036746
Сайпулаева Л.А., Абдулвагидов Ш.Б., Алибеков А.Г., Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш., Мельникова Н.В., Захвалинский В.С., Маренкин С.Ф. ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ НА ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА Р-ZN0.9CD0.1GEAS2, ЛЕГИРОВАННОГО МАРГАНЦЕМ//Вестник Дагестанского государственного университета. Серия 1: Естественные науки. 2019. Т. 34. № 3. С. 30-36.

Приведены результаты исследований барических зависимостей удельного электросопротивления r(Р) и коэффициента Холла RH(Р) магнитного полупроводника p-Zn1-xCdxGeAs2: Mn в области комнатных температур в ячейке высокого давления типа «Тороид». Особенности, наблюдаемые на зависимостях удельного электросопротивления r(P) и коэффициента Холла RH(P) , указывают на наличие структурных фазовых переходов при определенных значениях всестороннего давления. Точки начала фазового перехода с увеличением содержания марганца смещаются в область низких давлений. Особенности на RH(P) в кристаллах, содержащих более 0.06 масс% марганца, представляемые аномальной составляющей эффекта Холла и соответствующей модуляцией, связаны с возникновением узких примесных зон и усилением ферромагнитных характеристик материала. По данным температурных зависимостей электропроводности в области 77-300 К, установлены механизмы токопереноса в исследованных образцах при различном содержании в них марганца. При увеличении содержания марганца от х = 0.06 до х = 0.14 наблюдается тенденция перехода от полупроводникового поведения к металлическому характеру проводимости. Приведены результаты исследований температурных зависимостей намагниченности в интервале от 5 до 400 К в низких (0.05 Тл) и высоких (5 Тл) магнитных полях, согласно которым температура Кюри оказалась равной ?325 и ?360 К соответственно. Всем образцам свойствен дырочный тип проводимости.

https://elibrary.ru/item.asp?id=41040005

50. PDF
Сайпулаева Л.А., Абдулвагидов Ш.Б., Гаджиалиев М.М., Алибеков А.Г., Мельникова Н.В., Степанова Е.А., Аликин Д.О., Захвалинский В.С., Риль А.И., Маренкин С.Ф., Пирмагомедов З.Ш. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ CD3AS2 + MNAS//Физика и техника высоких давлений. 2019. Т. 29. № 4. С. 48-58.

Показано, что электрофизические свойства гранулированного нанокомпозита Cd3As2 + 44.7 mol% MnAs обусловлены спиновой поляризацией собственных электронов в матрице Cd3As2 спин-поляризованными электронами, инжектируемыми в нее из ферромагнитных нанокластеров MnAs. С ростом намагниченности всего образца угол между намагниченностями отдельных нанокластеров уменьшается и спин-поляризованный ток возрастает. Кроме того, повышение концентрации собственных носителей в матрице приводит к увеличению спин-поляризованного тока. Эта концепция подтверждается и измерениями вольт-амперных характеристик (ВАХ) при напряжениях до 5 V при температурах как ниже критической температуры образования кластерного стекла Tc.g = 241 K (при 77 и 172 K), так и выше нее (при 272 и 372 K), которые обнаруживают отклонение от омичности, возрастающее с напряжением. Это означает, что чем больше спиновая поляризация собственных электронов в Cd3As2 вследствие увеличения инжекции спин-поляризованных электронов из MnAs с ростом напряжения, тем больше ток. Описанное поведение впервые обнаружено в объемном нанокомпозите с наноразмерными ферромагнитными включениями. Последние синтезируются по химической технологии, относительно дешевой в сравнении с гетероструктурами, выращиваемыми с помощью метода молекулярно-лучевой эпитаксии из слоев ферромагнетика и полупроводника, где ранее подобное явление было обнаружено.

https://elibrary.ru/item.asp?id=41557966

51. PDF
Самардак А.Ю. Влияние элементного состава, структуры и геометрии на магнитные свойства электроосаждённых ферромагнитных наноструктур//Автореферат диссертации.Владивосток.2022

Влияние элементного состава, структуры и геометрии на магнитные свойства электроосаждённых ферромагнитных наноструктур

http://notio.benran.ru/ben01001859966.pdf/details

52. PDF
Соболев Кирилл Владимирович Магнитные и транспортные свойства МАХ-фазы (Cr1-xMnx)2AlC//Автореферат диссертации.Москва.2022

Магнитные и транспортные свойства МАХ-фазы (Cr1-xMnx)2AlC

http://notio.benran.ru/ben01001722360.pdf/details

53. 044973
Солдатов А.А., Вороной А.А., Ложкин Л.Д. ПРОХОЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ ЧЕРЕЗ ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ ВОЛНОВОД С АКТИВНОЙ ПРЯМОУГОЛЬНОЙ ПЛЕНКОЙ//Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2020. Т. 23. № 2. С. 21-28.

В предлагаемой работе рассматривается прохождение электромагнитной волны через прямоугольный волновод с активной пленкой и намагниченными ферритовыми слоями. Слои из ферромагнита располагаются между плоскостями, выполненными из металла, который обладает идеальной проводимостью. Получено дисперсионное уравнение для расчета постоянной распространения в рассматриваемой структуре. Дисперсионное уравнение решалось методом Дживса - Хука. Представлены графики, полученные при разных параметрах пленки и при разных значениях подмагничивающего поля.

https://elibrary.ru/item.asp?id=43361821

54. 033911
Стецюра С.В., Харитонова П.Г., Маляр И.В. ПОЛУМАГНИТНОЕ ПЛЕНОЧНОЕ ПОКРЫТИЕ НА ОСНОВЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА//Прикладная физика. 2020. № 5. С. 66-72.

Методами магнитно-силовой микроскопии (МСМ) и электронной оже-спектроскопии (ЭОС) исследованы плёночные образцы полумагнитного полупроводника на основе CdS, полученные термическим испарением и легированные Fe из поверхностного наноразмерного источника посредством отжига. Свойства слоев CdS:Fe определяются наличием отдельных атомов Fe, растворенных в CdS, и расположением наноразмерных фаз с ферромагнитными свойствами. Совместный анализ результатов МСМ, ЭОС и температурной зависимости магнитной восприимчивости позволил идентифицировать два типа наноразмерных магнитных фаз - FeS и Fe2O3, расположенных в пленке твердого раствора CdхFe1-xS.

https://elibrary.ru/item.asp?id=44185823

55. 00179X
Стишов С.М., Петрова А.Е. КИРАЛЬНЫЙ ЗОННЫЙ МАГНЕТИК MNSI//Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2020. Т. 158. № 1 (7). С. 213-220.

Дан краткий обзор результатов экспериментальных исследований магнитного фазового перехода в киральном магнетике MnSi. Приведены доказательства в пользу флуктуационной природы фазового перехода первого рода в исследуемом магнетике. Обсуждается природа побочного максимума на кривых, описывающих поведение теплоемкости, коэффициента теплового расширения, температурной производной электросопротивления и поглощения звука. Анализируется ситуация, связанная с проявлением квантового критического поведения в MnSi и (MnFe)Si при низких температурах.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=43126266

56. PDF
Тарасова Оксана Сергеевна Высокочастотные магнитные и электрические свойства пленок и функциональных структур на основе нанокомпозита (Co40Fe40B20)x(SiO2)100-x//Автореферат диссертации.Воронеж.2022

Высокочастотные магнитные и электрические свойства пленок и функциональных структур на основе нанокомпозита (Co40Fe40B20)x(SiO2)100-x

http://notio.benran.ru/ben01001731720.pdf/details

57. PDF
Урусова Н.В. Структурное состояние и магнитные свойства магнитоэлектриков на основе LiNi1-xMxPO4//Автореферат диссертации.Екатеринбург.2021

Структурное состояние и магнитные свойства магнитоэлектриков на основе LiNi1-xMxPO4

http://notio.benran.ru/ben01000143806.pdf/details

58. 04504X
Фарафонова О.В., Потанина А.Ю., Тарасова Н.В., Ермолаева Т.Н. СИНТЕЗ МЕТОДОМ ФОТОПОЛИМЕРИЗАЦИИ И ПРИМЕНЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛИМЕРОВ С МОЛЕКУЛЯРНЫМИ ОТПЕЧАТКАМИ ДЛЯ МОЛЕКУЛЯРНОГО РАСПОЗНАВАНИЯ ЦЕФАЛОСПОРИНОВ//Сорбционные и хроматографические процессы. 2018. Т. 18. № 4. С. 495-504.

Разработана методика фотохимического синтеза тонких пленок ПМО цефалоспоринов, включающая иммобилизацию антибиотиков на модифицированную ?-аминопропилтриэтоксисиланом поверхность электрода пьезоэлектрического сенсора и последующее дозирование неводного раствора метакриловой кислоты, этиленгликольдиметакрилата и 2,2-азобис(изобутиролнитрила) на подготовленную поверхность сенсора Установлены оптимальные концентрации цефалоспоринов (0.5 мг/см3), объемы полимеризационной смеси (2.5-5 мм3), массы формируемых пленок ПМО и НИП методом пьезокварцевого микровзвешивания. Приведены уравнения градуировочных функций (коэффицинент корреляции - 0.98 для цефтазидима и цефтриаксона и 0.99 для цефотаксима), установлены диапазоны определяемых содержаний (1-26 мкг/см3 для цефтазидима, 1-31 мкг/см3 для цефтриаксона и 1-34 мкг/см3 для цефотаксима) и пределы обнаружения антибиотиков.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=35656014

59. 009927
Филиппов Г.М., Александров В.А., Степанов А.В. ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗОНАНСНЫХ ЯВЛЕНИЙ В ПРОЦЕССЕ ПЕРФОРИРОВАНИЯ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ ПРИ ПРОХОЖДЕНИИ МНОГОЗАРЯДНЫХ ИОНОВ//Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 2. С. 90-94.

Исследуется процесс перфорирования пленки нанометровой толщины при прохождении волнового пакета многозарядного иона. Показано, что значительное влияние на процесс перфорирования оказывает резонансное поведение колебаний диска, высвобождаемого из пленки. Механизм резонанса основан на процессе, известном под названием “push-pull” (по русски “тяни-толкай”). Предложена модель силы поляризационного взаимодействия пленки с волновым пакетом частицы. Модель позволяет получить оценку порогового значения силы, необходимой для образования поры при пролете многозарядного иона через пленку.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42339846

60. 00179X
Фраерман А.А., Мухаматчин К.Р. КИРАЛЬНАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ ОДНОРОДНОГО СОСТОЯНИЯ ФЕРРОМАГНИТНОЙ ПЛЕНКИ НА МАГНИТНОЙ ПОДЛОЖКЕ//Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2020. Т. 158. № 6 (12). С. 1109-1117.

Теоретически определены условия формирования киральных распределений намагниченности в системах ферромагнетик/сверхпроводник и ферромагнетик/парамагнетик. Формирование киральных состояний обусловлено особенностями магнитостатического взаимодействия в неоднородных магнитных системах. Сделанные оценки указывают на возможность экспериментального наблюдения предсказанных эффектов.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=44285754

61. PDF
Харламова А.М. Магнитные и структурные свойства тонкопленочных трехслойных систем на основе кобальта с кремнием, висмутом и медью//Автореферат диссертации.Москва.2018

Магнитные и структурные свойства тонкопленочных трехслойных систем на основе кобальта с кремнием, висмутом и медью

http://notio.benran.ru/ben01000127737.pdf/details

62. PDF
Цыганок В.В. Глубокое лазерное охлаждение атомов тулия в оптической дипольной ловушке//автореферат диссертации.Москва.01.04.21

Глубокое лазерное охлаждение атомов тулия в оптической дипольной ловушке

http://notio.benran.ru/ben01000144205.pdf/details

63. 000725
Четвериков В.М. ПРОСТРАНСТВЕННОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ НАМАГНИЧЕННОСТИ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ ФЕРРОМАГНИТНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА//Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия. 2018. № 6. С. 28-33.

Рассмотрена модель описания распределения намагниченности по толщине пленки ферромагнитного полупроводника. Включение постоянного электрического поля перпендикулярного поверхности пленки позволяет изменять температуру Кюри. Полученные формулы определяют зависимость этого распределения от значений физических параметров пленки.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=37196820

64. 009927
Чирков В.В., Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Денисов А.Е. ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СИНТЕЗ ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ CO+ В SI//Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2018. № 2. С. 63-67.

При имплантации ионов Co+ в пластины монокристаллического кремния во внешнем магнитном поле были синтезированы тонкие ферромагнитные пленки силицида кобальта. Исследования методом сканирующей магнитополяриметрии показали, что образцы, имплантированные с дозой больше, чем 2 ? 1017 см-2, обладают одноосной магнитной анизотропией. На основе дозовой зависимости поля анизотропии и эксперимента по переключению направления осей легкого намагничивания сделан вывод о том, что наведенная магнитная анизотропия в полученных пленках обусловлена направленным упорядочением пар атомов. Показано отсутствие влияния внешних механических напряжений, создаваемых при имплантации, на магнитные свойства пленок силицида кобальта.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=32431996

65. 00676X
Шульга Н.В., Дорошенко Р.А. ГИСТЕРЕЗИС ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ В ДВУХСЛОЙНОЙ ФЕРРОМАГНИТНОЙ ПЛЕНКЕ ПРИ ВИХРЕВОМ РАСПРЕДЕЛЕНИИ НАМАГНИЧЕННОСТИ//Физика металлов и металловедение. 2020. Т. 121. № 6. С. 583-588.

Численно исследован гистерезис электрической поляризации двухслойной обменно-связанной ферромагнитной пленки, слои которой обладают анизотропией типа “легкая плоскость” и “легкая ось” при перемагничивании. Перемагничивание осуществляли магнитным полем, перпендикулярным плоскости пленки, из состояния насыщения вдоль оси легкого намагничивания. Построены зависимости средней электрической поляризации от напряженности внешнего магнитного поля, а также соответствующие зависимости приведенной намагниченности слоев пленки. Обнаружена возможность переключения в магнитном поле знака электрической поляризации в пленках, толщина которых меньше поперечных размеров. В более толстых пленках при перемагничивании не наблюдается изменения знака поляризации.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42809478

66. 00676X
Шульга Н.В., Дорошенко Р.А. НЕОДНОРОДНЫЙ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В НАНОРАЗМЕРНОЙ ФЕРРОМАГНИТНОЙ ПЛЕНКЕ С ПОВЕРХНОСТНОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ//Физика металлов и металловедение. 2019. Т. 120. № 7. С. 695-701.

Проведено численное исследование основного состояния ферромагнитной ограниченной пленки. Пленка обладает одноосной магнитной анизотропией типа “легкая плоскость” и поверхностной анизотропией “легкая ось”. Все расчеты были проведены для пленок с параметрами ферритов-гранатов. Расчет основного состояния проводили с использованием пакета трехмерного микромагнитного моделирования OOMMF для наноразмерных прямоугольных пленок (наностолбиков) различного поперечного сечения. Для вихревого распределения намагниченности в основном состоянии рассчитана электрическая поляризация. Обнаружено, что при наличии поверхностной анизотропии компонента вектора поляризации пленки, перпендикулярная плоскости пленки, отлична от нуля. Исследовано изменение электрической поляризации при намагничивании пленки внешним магнитным полем. Показано, что с увеличением магнитного поля модуль поляризации также возрастает до определенных значений поля, а затем уменьшается до нуля. При уменьшении поперечных размеров пленки, а также увеличении константы поверхностной анизотропии, электрическая поляризация наностолбика возрастает.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=38251702

67. 046733
Шульга Н.В., Дорошенко Р.А. ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЕ И НЕОДНОРОДНЫЙ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В НАНОРАЗМЕРНОЙ ДВУХСЛОЙНОЙ ФЕРРОМАГНИТНОЙ ПЛЕНКЕ С КОМБИНИРОВАННОЙ ОДНООСНОЙ И КУБИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ В СЛОЯХ//Известия Уфимского научного центра РАН. 2021. № 1. С. 23-26.

Проведено численное исследование перемагничивания двухслойной обменно-связанной ферромагнитной пластины конечных размеров, обладающей комбинированной одноосной анизотропией (типа «легкая ось» для верхнего слоя и «легкая плоскость» для нижнего) и кубической анизотропией с ориентацией [111]. Показано, что при наличии кубической анизотропии основное состояние намагниченности оказывается однородным в плоскости пленки. Однако существует неоднородность на границе раздела слоев пленки. Эта неоднородность может привести к появлению электрической поляризации, обусловленной магнитоэлектрическим эффектом. Вектор электрической поляризации в этом случае лежит в плоскости пленки. Его модуль увеличивается с ростом кубической анизотропии. Кроме того, при увеличении кубической анизотропии обнаруживается гистерезис электрической поляризации.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=44882709

68. 002307
Шульга Н.В., Дорошенко Р.А. ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДВУХСЛОЙНОЙ ОБМЕННО-СВЯЗАННОЙ ФЕРРОМАГНИТНОЙ ПЛЕНКИ//Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2020. Т. 84. № 5. С. 679-681.

Численно исследована электрическая поляризация для вихревого распределения намагниченности в двухслойной обменно-связанной ферромагнитной пленке конечных размеров. Электрическая поляризация такой пленки определяется перпендикулярной компонентой намагниченности. Вклад в электрическую поляризацию отдельных слоев образца различен и зависит от размеров пленки. С уменьшением поперечных размеров пленки величина средней поляризации возрастает. При намагничивании в перпендикулярном направлении средняя поляризация проходит через максимум.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42652149

69. 040192
Шупенев А.Е., Кривошеев А.В., Пономаренко С.Л. ОСОБЕННОСТИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ DLC-ПЛЕНОК, ПОЛУЧАЕМЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ//Наукоемкие технологии в машиностроении. 2020. № 2 (104). С. 35-40.

Одним из перспективных методов получения тонких пленок является метод импульсного лазерного осаждения. В силу энергетических особенностей лазерного воздействия на мишень, данный метод широко применяется при создании алмазоподобных структур. Описано получение алмазоподобных структур на лазерной установке PLD-400 с использованием эксимерного излучателя. Методом эллипсометрии исследованы скорости роста и особенности распределения толщины при различных условиях осаждения.

https://elibrary.ru/item.asp?id=42359772

70. 00179X
Юань Я., Чэнь К., Лю Ч., Чэнь В., Чэн Л., Либ Ж. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФЕРРОМАГНЕТИЗМА В ПЛЕНКАХ ZNO, ИНДУЦИРОВАННОГО ВАКАНСИЯМИ ЦИНКА, ПРИ КОМНАТНОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ//Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 156. № 2 (8). С. 291-298.

Осуществлено наблюдение ферромагнетизма при комнатной температуре в пленках ZnO, полученных методом магнетронного распыления в присутствии кислорода с последующим отжигом. В пленках, имеющих гексагональную структуру вюрцита, получено максимальное значение намагниченности насыщения 4.75 ед. СГСМ/см3. Предполагается, что ферромагнетизм возникает за счет вакансий цинка, а кислородные вакансии не влияют на намагниченность. Для понимания причин возникновения высокотемпературного ферромагнетизма в данном веществе проведено теоретическое исследование, основанное на расчетах из первых принципов. Подробно изучен основной физический механизм установления ферро-магнетизма в пленках ZnO.

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=39177589

На главную К списку выставокАрхив выставок